近日，一場聚焦智能電動汽車發(fā)展的高層論壇在北京舉行，吸引了眾多行業(yè)專家與企業(yè)代表參與。麥格納集團(tuán)中國區(qū)技術(shù)高級總監(jiān)張超在論壇上發(fā)表了精彩演講，對全球及中國汽車市場的未來趨勢進(jìn)行了深入剖析。

張超指出，全球汽車銷量正呈現(xiàn)出穩(wěn)定增長的態(tài)勢，預(yù)計到2030年，全球汽車銷量將突破1億輛大關(guān)。在這一增長過程中，新能源汽車的表現(xiàn)尤為亮眼，其占比預(yù)計將迅速提升至40%以上。而在中國市場，新能源汽車更是成為推動汽車銷量增長的主要力量。據(jù)預(yù)測，到2030年，中國汽車銷量有望突破3000萬輛，其中新能源汽車的占比將接近80%，展現(xiàn)出巨大的市場潛力。

在演講中，張超還對傳統(tǒng)硅基IGBT的局限性進(jìn)行了詳細(xì)闡述。他提到，傳統(tǒng)硅基IGBT存在四大明顯不足：一是開關(guān)損耗較大，導(dǎo)致在高頻工況下的效率偏低；二是耐高溫能力有限，難以適應(yīng)高溫環(huán)境下的工作需求；三是開關(guān)頻率較低，使得系統(tǒng)體積與重量難以進(jìn)一步降低；四是難以支撐800V以上平臺的長期發(fā)展，限制了電動汽車在高壓快充等領(lǐng)域的應(yīng)用。

針對這些問題，張超認(rèn)為，全面向第三代半導(dǎo)體升級是必然的技術(shù)路線。他介紹說，SiC/GaN器件憑借其優(yōu)異的物理特性，如高擊穿電場、高電子遷移率等，能夠徹底解決傳統(tǒng)硅基IGBT存在的上述痛點，為電動汽車產(chǎn)業(yè)帶來革新性的變化。

對于未來3-5年的關(guān)鍵趨勢，張超也給出了自己的判斷。他認(rèn)為，800V高壓平臺將加速下沉至主流車型，為電動汽車提供更快的充電速度和更高的功率輸出；SiC器件將在全場景中的滲透率持續(xù)穩(wěn)步提升，成為電動汽車核心部件的重要組成部分；同時，GaN在車載電源領(lǐng)域也將實現(xiàn)快速規(guī)模化上車，為電動汽車的電源系統(tǒng)帶來更高的效率和更小的體積。