據(jù)韓國(guó)科技媒體Etnews最新披露，存儲(chǔ)巨頭閃迪已正式啟動(dòng)高帶寬閃存（HBF）的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。該企業(yè)正在與材料供應(yīng)商、設(shè)備制造商及零部件企業(yè)協(xié)同構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈，計(jì)劃于今年下半年完成首批工程樣品生產(chǎn)。

行業(yè)知情人士透露，閃迪正以第三季度完成關(guān)鍵設(shè)備導(dǎo)入為目標(biāo)，與多家核心供應(yīng)商展開技術(shù)對(duì)接。部分設(shè)備廠商已收到采購(gòu)意向書，涉及晶圓傳輸、堆疊封裝等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。業(yè)內(nèi)預(yù)測(cè)該生產(chǎn)線將于第四季度進(jìn)入試運(yùn)行階段，2025年正式投入商業(yè)量產(chǎn)。

這項(xiàng)被視為AI存儲(chǔ)革命的技術(shù)方案，其核心架構(gòu)與高帶寬內(nèi)存（HBM）存在異曲同工之妙。通過將傳統(tǒng)NAND閃存芯片進(jìn)行3D垂直堆疊，配合新型互連技術(shù)，在保持非易失性存儲(chǔ)特性的同時(shí)，將數(shù)據(jù)帶寬提升至現(xiàn)有產(chǎn)品的3倍以上，單顆芯片容量更可突破1TB級(jí)別。這種特性使其成為訓(xùn)練大模型等高吞吐場(chǎng)景的理想解決方案。

存儲(chǔ)行業(yè)正形成技術(shù)競(jìng)速態(tài)勢(shì)。SK海力士已與閃迪建立聯(lián)合工作組，重點(diǎn)推進(jìn)接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)化；三星電子則采取獨(dú)立研發(fā)路線，其32層堆疊試驗(yàn)品已進(jìn)入可靠性測(cè)試階段。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce指出，HBF技術(shù)有望在2026年前占據(jù)AI服務(wù)器存儲(chǔ)市場(chǎng)15%的份額，推動(dòng)整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)向高帶寬方向升級(jí)。