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力積電借市場回暖啟動DRAM制程提升計劃 加速產(chǎn)線技術(shù)升級應(yīng)對需求

   發(fā)布時間:2026-01-22 11:34 作者:馮璃月

存儲器市場近期迎來顯著回暖,力積電順勢宣布正式啟動DRAM制程工藝提升計劃。此前,該公司已與美光科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,此次升級旨在滿足下游存儲器IC設(shè)計客戶對高容量、高速度DRAM產(chǎn)品的迫切需求,同時抓住市場供需缺口帶來的發(fā)展機遇。

力積電新竹12英寸晶圓廠目前具備月產(chǎn)5萬片存儲器芯片的產(chǎn)能規(guī)模,主要采用2x納米制程技術(shù),為全球客戶提供DRAM和Flash代工服務(wù)。隨著全球AI算力需求的爆發(fā)式增長,DRAM市場持續(xù)呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢,客戶訂單量迅猛增加,這成為推動力積電加速存儲器產(chǎn)線技術(shù)升級的重要動力。

為提升DRAM制程工藝,力積電董事會已通過增資案,計劃投資新設(shè)備以增強產(chǎn)能。配合此前銅鑼廠售予美光的策略合作,雙方預(yù)計在第二季度簽訂相關(guān)合約。待2026年度股東常會批準后,力積電將根據(jù)經(jīng)營團隊的規(guī)劃,迅速啟動設(shè)備采購作業(yè),對P3廠現(xiàn)有月產(chǎn)逾3萬片的DRAM生產(chǎn)線進行升級改造。

 
 
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