北京銘鎵半導體有限公司近日宣布完成A++輪股權融資，總額超1億元人民幣，由彭程創(chuàng)投、成都科創(chuàng)投、天鷹資本、國煜基金、洪泰基金等多家機構聯(lián)合投資。本輪融資后，公司投后估值達9.1億元，累計完成五輪融資，總金額接近4億元。資金將主要用于氧化鎵襯底技術研發(fā)與產(chǎn)能擴建，包括6英寸氧化鎵襯底量產(chǎn)、2-4英寸中試產(chǎn)線建設，以及磷化銦多晶產(chǎn)線規(guī)模化擴產(chǎn)等項目。

作為國內(nèi)超寬禁帶半導體領域的領軍企業(yè)，銘鎵半導體在氧化鎵技術上取得關鍵突破。公司計劃新增20臺套4-6英寸中試產(chǎn)線設備，全面達產(chǎn)后氧化鎵襯底年產(chǎn)能將提升至3萬片。其中，6英寸氧化鎵襯底技術的研發(fā)成功，標志著產(chǎn)業(yè)正式邁入規(guī)模化流片制造階段。行業(yè)專家指出，大尺寸襯底是實現(xiàn)高功率半導體器件量產(chǎn)的基礎，將顯著推動氧化鎵在智能電網(wǎng)、新能源汽車、人工智能等高功率場景的應用落地。

在產(chǎn)業(yè)培育方面，銘鎵半導體作為北京市唯一聚焦超寬禁帶半導體的育新平臺，承擔著構建未來產(chǎn)業(yè)生態(tài)的重任。公司搭建了概念驗證平臺，整合材料制備、器件中試、應用驗證全鏈條資源，開放3000平方米實驗空間及50余套精密設備，為產(chǎn)業(yè)鏈上下游提供樣品試制、性能檢測、工藝優(yōu)化等一站式服務。公司還與北京市高校及科研院所組建聯(lián)合研發(fā)小組，加速氧化鎵在無人機、5G通信等領域的商業(yè)化進程。

除氧化鎵業(yè)務外，銘鎵半導體的磷化銦多晶產(chǎn)線也迎來發(fā)展機遇。隨著人工智能、大數(shù)據(jù)通信等產(chǎn)業(yè)需求激增，公司計劃到2026年分步新增50臺設備，將磷化銦年產(chǎn)能擴大至20噸，以滿足客戶訂單增長需求。磷化銦作為光電子器件的核心材料，在高速光通信、太赫茲技術等領域具有不可替代性，此次擴產(chǎn)將進一步鞏固公司在化合物半導體領域的布局。

根據(jù)QY Research發(fā)布的《全球氧化鎵晶圓襯底市場報告2025-2031》，2031年全球氧化鎵市場規(guī)模預計達4.3億美元，2024-2031年復合增長率達27.6%。基于2024年市場數(shù)據(jù)，銘鎵半導體在全球氧化鎵晶圓襯底市場中排名第三，是國內(nèi)超寬禁帶半導體材料供應鏈自主化的重要參與者。公司通過持續(xù)的技術迭代與產(chǎn)能擴張，正逐步構建從材料到器件的完整產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。