功率半導(dǎo)體領(lǐng)域近期迎來(lái)多項(xiàng)技術(shù)突破，英飛凌、GE Aerospace及SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)上取得重要進(jìn)展，為電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源及工業(yè)電力等行業(yè)注入新動(dòng)能。

英飛凌科技股份公司正式推出首款符合汽車(chē)電子委員會(huì)（AEC）標(biāo)準(zhǔn)的100V車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵晶體管系列CoolGaN? 100V G1。該系列產(chǎn)品已進(jìn)入預(yù)量產(chǎn)階段，包含高壓車(chē)規(guī)級(jí)晶體管及多種雙向開(kāi)關(guān)，標(biāo)志著英飛凌正式進(jìn)軍車(chē)規(guī)級(jí)GaN市場(chǎng)。據(jù)公司GaN業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl介紹，GaN功率器件相比傳統(tǒng)硅基器件具有顯著優(yōu)勢(shì)：其體積更小、能效更高，且能降低系統(tǒng)成本。在汽車(chē)行業(yè)向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的過(guò)程中，基于GaN的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)可支持線控轉(zhuǎn)向、實(shí)時(shí)底盤(pán)控制等先進(jìn)功能，顯著提升駕乘體驗(yàn)。該系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于區(qū)域控制、主DC-DC轉(zhuǎn)換器、高性能輔助系統(tǒng)及D類(lèi)音頻放大器等領(lǐng)域，為車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和新型氣候控制系統(tǒng)提供高效電源解決方案。

GE Aerospace在紐約尼斯卡尤納研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET芯片。這款5毫米×5毫米的芯片提供1200V電壓和11mΩ導(dǎo)通電阻，具備行業(yè)領(lǐng)先的200°C溫度額定值。公司總裁兼總經(jīng)理Kris Shepherd表示，第四代SiC MOSFET在切換速度、效率和耐用性方面實(shí)現(xiàn)飛躍性提升，其性能優(yōu)勢(shì)使其在汽車(chē)、可再生能源、人工智能數(shù)據(jù)中心及工業(yè)電力等多個(gè)行業(yè)具有廣泛應(yīng)用潛力。隨著混合動(dòng)力和純電動(dòng)車(chē)（HEV/BEV）平臺(tái)對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的需求增長(zhǎng)，該器件有望在效率和功率密度方面帶來(lái)重大突破。

SemiQ Inc推出五款采用SOT-227封裝的高性能碳化硅模塊，導(dǎo)通電阻（DSon）分別為7.4mΩ、14.5mΩ和34mΩ。這些模塊集成肖特基勢(shì)場(chǎng)二極管（SBD），在高溫環(huán)境下開(kāi)關(guān)損耗顯著低于非SBD模塊。產(chǎn)品面向中壓高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，包括電池充電器、光伏逆變器、服務(wù)器電源及儲(chǔ)能系統(tǒng)。所有模塊均通過(guò)晶圓級(jí)柵極氧化層燒入測(cè)試，電壓耐受超過(guò)1400伏，并完成800mJ雪崩測(cè)試（34mΩ模塊為330mJ）。其中，7.4mΩ型號(hào)GCMX007C120S1-E1模塊實(shí)現(xiàn)4.66mJ低開(kāi)關(guān)損耗（3.72mJ導(dǎo)通/0.94mJ關(guān)斷）和593nC體二極管反向恢復(fù)電荷，結(jié)到殼熱阻范圍為0.23°C/W至0.70°C/W。作為美國(guó)碳化硅功率半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)企業(yè)，SemiQ Inc專(zhuān)注高壓場(chǎng)景解決方案，產(chǎn)品涵蓋分立器件、模塊及裸芯片格式的MOSFET和二極管。